casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / BCR108E6327HTSA1
Número da peça de fabricante | BCR108E6327HTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BCR108E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BCR108E6327HTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 170MHz |
Potência - Max | 200mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR108E6327HTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BCR108E6327HTSA1-FT |
FJN4310RBU
ON Semiconductor
FJN4311RBU
ON Semiconductor
FJN4312RBU
ON Semiconductor
FJN4313RBU
ON Semiconductor
FJN4314RBU
ON Semiconductor
FJNS3202RTA
ON Semiconductor
FJNS3203RBU
ON Semiconductor
FJNS3206RTA
ON Semiconductor
FJNS3215RBU
ON Semiconductor
PBRN113ES,126
NXP USA Inc.
A1415A-PQG100M
Microsemi Corporation
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CS484LI
Xilinx Inc.
APA1000-BGG456
Microsemi Corporation
EPF10K200SFI672-2
Intel
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C8LN
Intel