casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / BCR108E6327HTSA1
Número da peça de fabricante | BCR108E6327HTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BCR108E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BCR108E6327HTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 170MHz |
Potência - Max | 200mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR108E6327HTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BCR108E6327HTSA1-FT |
FJN4310RBU
ON Semiconductor
FJN4311RBU
ON Semiconductor
FJN4312RBU
ON Semiconductor
FJN4313RBU
ON Semiconductor
FJN4314RBU
ON Semiconductor
FJNS3202RTA
ON Semiconductor
FJNS3203RBU
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FJNS3206RTA
ON Semiconductor
FJNS3215RBU
ON Semiconductor
PBRN113ES,126
NXP USA Inc.
XC6SLX45-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
XC2S200E-6FG456C
Xilinx Inc.
LFE5UM-25F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL340F1760I4N
Intel
A54SX32A-1BGG329I
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34E1SG
Intel
5AGXBB3D4F31C4N
Intel