casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / BCR 108 B6327
Número da peça de fabricante | BCR 108 B6327 |
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Número da peça futura | FT-BCR 108 B6327 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BCR 108 B6327 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | 47 kOhms |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 170MHz |
Potência - Max | 200mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 108 B6327 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BCR 108 B6327-FT |
UNR221M00L
Panasonic Electronic Components
FJV3114RMTF
ON Semiconductor
BCR183E6327HTSA1
Infineon Technologies
UNR211V00L
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BCR142E6327HTSA1
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BCR198E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR512E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR555E6327HTSA1
Infineon Technologies
FJV3110RMTF
ON Semiconductor
UNR211E00L
Panasonic Electronic Components
XCS30-3TQ144I
Xilinx Inc.
EX256-FTQG100
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XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144
Microsemi Corporation
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
XC6VHX565T-1FFG1924I
Xilinx Inc.
10AX066H2F34I2LG
Intel
EP4CE75F29C6N
Intel
EP4SGX230FF35I4
Intel