casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol / FJV3110RMTF
Número da peça de fabricante | FJV3110RMTF |
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Número da peça futura | FT-FJV3110RMTF |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FJV3110RMTF Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 40V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base do Emissor (R2) | - |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Potência - Max | 200mW |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJV3110RMTF Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FJV3110RMTF-FT |
PDTA113ZS,126
NXP USA Inc.
PDTA114ES,126
NXP USA Inc.
PDTA114TS,126
NXP USA Inc.
PDTA114YS,126
NXP USA Inc.
PDTA115ES,126
NXP USA Inc.
PDTA115TS,126
NXP USA Inc.
PDTA123ES,126
NXP USA Inc.
PDTA123JS,126
NXP USA Inc.
PDTA123YS,126
NXP USA Inc.
PDTA124ES,126
NXP USA Inc.
LFXP2-8E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M100E-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
A10V10B-PL68C
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC484-2X
Intel
XC4VLX80-11FFG1148C
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FFG672I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U15C6N
Intel