casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / BCM857BV,115
Número da peça de fabricante | BCM857BV,115 |
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Número da peça futura | FT-BCM857BV,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BCM857BV,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) Matched Pair |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 45V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 15nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Potência - Max | 300mW |
Freqüência - Transição | 175MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-666 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCM857BV,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BCM857BV,115-FT |
EMX2DXV6T5
ON Semiconductor
EMZ1DXV6T1
ON Semiconductor
EMZ1DXV6T1G
ON Semiconductor
EMZ1DXV6T5
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EMZ1DXV6T5G
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NST3904DXV6T5
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NST3906DXV6T1
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NST3946DXV6T1
ON Semiconductor
NST3946DXV6T5
ON Semiconductor
HN3A51F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
A3PE3000-2FGG484I
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EP2S60F672C5N
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5SGXEA5N2F45C3N
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EP4S100G4F45I3
Intel
XC5VLX50-2FF676I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C6N
Intel
EPF10K200SBI356-2
Intel