casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / EMZ1DXV6T5
Número da peça de fabricante | EMZ1DXV6T5 |
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Número da peça futura | FT-EMZ1DXV6T5 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
EMZ1DXV6T5 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN, PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 60V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 500nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Potência - Max | 500mW |
Freqüência - Transição | 180MHz, 140MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-563 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMZ1DXV6T5 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | EMZ1DXV6T5-FT |
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A1010B-PLG68C
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-2TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VQC240-1N
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