casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / BC857AW-G
Número da peça de fabricante | BC857AW-G |
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Número da peça futura | FT-BC857AW-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BC857AW-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 45V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 15nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
Potência - Max | 150mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-323 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC857AW-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BC857AW-G-FT |
DXT2011P5Q-13
Diodes Incorporated
ZX3CD3S1M832TA
Diodes Incorporated
ZX3CDBS1M832TA
Diodes Incorporated
ZXTP720MATA
Diodes Incorporated
ZXTN617MATA
Diodes Incorporated
ZXTP718MATA
Diodes Incorporated
ZXTN620MATA
Diodes Incorporated
ZXTN619MATA
Diodes Incorporated
ZXTP26020DMFTA
Diodes Incorporated
ZXTN618MATA
Diodes Incorporated
EPF10K10ATC144-3N
Intel
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250-2FGG256I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15E22I7N
Intel
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C6N
Intel
EP20K1000CF33C8N
Intel