casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / DXT2011P5Q-13
Número da peça de fabricante | DXT2011P5Q-13 |
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Número da peça futura | FT-DXT2011P5Q-13 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
DXT2011P5Q-13 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 6A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 100V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 220mV @ 500mA, 5A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 20nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 2V |
Potência - Max | 3.2W |
Freqüência - Transição | 130MHz |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | PowerDI™ 5 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PowerDI™ 5 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DXT2011P5Q-13 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DXT2011P5Q-13-FT |
MMST4403-7-F
Diodes Incorporated
ZUMT619TA
Diodes Incorporated
2DD2652-7
Diodes Incorporated
BC807-16W-7
Diodes Incorporated
DSS4140U-7
Diodes Incorporated
DSS5160U-7
Diodes Incorporated
MMST2907A-7-F
Diodes Incorporated
MMST6427-7-F
Diodes Incorporated
MMSTA06-7-F
Diodes Incorporated
MMSTA14-7-F
Diodes Incorporated
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel