casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / BC856AW-G
Número da peça de fabricante | BC856AW-G |
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Número da peça futura | FT-BC856AW-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BC856AW-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 65V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 15nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Potência - Max | 150mW |
Freqüência - Transição | 100MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-323 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC856AW-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BC856AW-G-FT |
DXTP03200BP5-13
Diodes Incorporated
DXTP19020DP5-13
Diodes Incorporated
ZXTN04120HP5TC
Diodes Incorporated
DXT2011P5Q-13
Diodes Incorporated
ZX3CD3S1M832TA
Diodes Incorporated
ZX3CDBS1M832TA
Diodes Incorporated
ZXTP720MATA
Diodes Incorporated
ZXTN617MATA
Diodes Incorporated
ZXTP718MATA
Diodes Incorporated
ZXTN620MATA
Diodes Incorporated
LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
5SGSED8K3F40C2LN
Intel
EP3SE80F1152I3
Intel
XA7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
EPF10K200SBC356-1X
Intel