casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / BC635,112

| Número da peça de fabricante | BC635,112 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-BC635,112 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| BC635,112 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo de transistor | NPN |
| Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
| Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 45V |
| Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
| Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
| Potência - Max | 830mW |
| Freqüência - Transição | 180MHz |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BC635,112 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | BC635,112-FT |

NSS1C201MZ4T1G
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Microsemi Corporation

ICE40LP1K-QN84
Lattice Semiconductor Corporation

LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation

EP2AGX260EF29I5N
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EPF10K50VBI356-4
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EP20K160EQC240-3N
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EPF10K30EQC208-2N
Intel