casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / BC635,112
Número da peça de fabricante | BC635,112 |
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Número da peça futura | FT-BC635,112 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BC635,112 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 45V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
Potência - Max | 830mW |
Freqüência - Transição | 180MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC635,112 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BC635,112-FT |
NSS1C201MZ4T1G
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10CL025ZU256I8G
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XC6VLX240T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQI208-2N
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