casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BAW56S/DG/B2,115
Número da peça de fabricante | BAW56S/DG/B2,115 |
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Número da peça futura | FT-BAW56S/DG/B2,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BAW56S/DG/B2,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 2 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 250mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500nA @ 80V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-363 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW56S/DG/B2,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAW56S/DG/B2,115-FT |
MUR10005CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR10010CT
GeneSiC Semiconductor
MUR10010CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR10020CT
GeneSiC Semiconductor
MUR10020CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR10040CT
GeneSiC Semiconductor
MUR10040CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR10060CT
GeneSiC Semiconductor
MUR10060CTR
GeneSiC Semiconductor
MUR20005CT
GeneSiC Semiconductor
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel