casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MUR10010CTR
Número da peça de fabricante | MUR10010CTR |
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Número da peça futura | FT-MUR10010CTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MUR10010CTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 100A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 50A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 75ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Twin Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Twin Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR10010CTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MUR10010CTR-FT |
DD285N02KHPSA1
Infineon Technologies
DD285N04KHPSA1
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DD380N16KHPSA1
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XC2V80-5FGG256C
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XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
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5SGSMD4K3F40I3L
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EP2AGX65DF25C4G
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EP3SE260F1152I4N
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EP2AGX95EF35C6N
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