casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BAW56E6327
Número da peça de fabricante | BAW56E6327 |
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Número da peça futura | FT-BAW56E6327 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAW56E6327 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 200mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 150nA @ 70V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW56E6327 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAW56E6327-FT |
DA3X102D0L
Panasonic Electronic Components
DB3X314J0L
Panasonic Electronic Components
MMBD1404
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MMBD1504-TP
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MMBD1505-TP
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MMBD7000-TP
Micro Commercial Co
BAS31-D87Z
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BAS35
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BAW74
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MMBD1203
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XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
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APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
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XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel