Número da peça de fabricante | BAS35 |
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Número da peça futura | FT-BAS35 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAS35 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 120V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 200mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 90V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS35 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAS35-FT |
DA227TL
Rohm Semiconductor
RB480KTL
Rohm Semiconductor
BAS12507WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS7007WH6327XTSA1
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BAS12507WE6327HTSA1
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BAS28WE6327BTSA1
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BAS28WH6327XTSA1
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BAS4007WE6327BTSA1
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BAS7007WE6327BTSA1
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BAT6307WE6327HTSA1
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XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
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A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel