casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / BAT15099E6327HTSA1
Número da peça de fabricante | BAT15099E6327HTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BAT15099E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAT15099E6327HTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky - 2 Independent |
Tensão - pico reverso (máximo) | 4V |
Corrente - Max | 110mA |
Capacitância @ Vr, F | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | - |
Dissipação de energia (máx.) | 100mW |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SOT143-4 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT15099E6327HTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAT15099E6327HTSA1-FT |
MA4P1250NM-1072T
M/A-Com Technology Solutions
MEST2G-025-10-CM32
M/A-Com Technology Solutions
MEST2G-150-10-CM32
M/A-Com Technology Solutions
MADP-011037-13900T
M/A-Com Technology Solutions
MA4E1338E1-1068T
M/A-Com Technology Solutions
MA4E2072M-1068T
M/A-Com Technology Solutions
MA4E2200E1-1068T
M/A-Com Technology Solutions
MA4P4002F-1091T
M/A-Com Technology Solutions
MA4P7441F-1091T
M/A-Com Technology Solutions
BAR 88-07LRH E6327
Infineon Technologies
A1010B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
EP3SE110F1152I3N
Intel
XC2VP4-5FFG672C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19I7N
Intel
10AX090N3F45I2LG
Intel
EP2AGX45DF29I5N
Intel
EP2C5Q208C7
Intel