casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BAS4006E6327HTSA1
Número da peça de fabricante | BAS4006E6327HTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BAS4006E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAS4006E6327HTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 120mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 40mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 100ps |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 30V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS4006E6327HTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAS4006E6327HTSA1-FT |
V40120CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40150CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40M150CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT1060CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT1080CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT2060CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT60M45CHM3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
WNS20H100CQ
WeEn Semiconductors
WNS20S100CQ
WeEn Semiconductors
WNS30H100CQ
WeEn Semiconductors
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-3N
Intel
5SGSMD6N2F45C2LN
Intel
5SGXEA7H2F35C1
Intel
XC7K70T-1FB676I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
Intel