casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / WNS30H100CQ
Número da peça de fabricante | WNS30H100CQ |
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Número da peça futura | FT-WNS30H100CQ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
WNS30H100CQ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 15A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 710mV @ 15A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50µA @ 100V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220E |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WNS30H100CQ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | WNS30H100CQ-FT |
MBR3040CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3040FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3045CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3045FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3050CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3050FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3060CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3060FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3080CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3080FCTE3/TU
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4
Intel
10M40DCF256C7G
Intel
5SGXEB5R2F43I2L
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
Intel