casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BAS28E6359HTMA1
Número da peça de fabricante | BAS28E6359HTMA1 |
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Número da peça futura | FT-BAS28E6359HTMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BAS28E6359HTMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Configuração de diodo | 2 Independent |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 100mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Rapidez | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 4ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 75V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SOT143-4 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS28E6359HTMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAS28E6359HTMA1-FT |
SBRF1545CT
SMC Diode Solutions
VS-VSHD320CW40
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR12080CT
GeneSiC Semiconductor
MBR12080CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR200100CT
GeneSiC Semiconductor
MBR200100CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR200150CT
GeneSiC Semiconductor
MBR200150CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR200200CT
GeneSiC Semiconductor
MBR200200CTR
GeneSiC Semiconductor
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel