casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR200200CT
Número da peça de fabricante | MBR200200CT |
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Número da peça futura | FT-MBR200200CT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR200200CT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 100A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 100A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 3mA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Twin Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Twin Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR200200CT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR200200CT-FT |
CDSV6-99SD-G
Comchip Technology
F1842CCD600
Sensata-Crydom
STPS2045CH
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STPS2545CGY-TR
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DD104N12KAHPSA1
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DD104N12KHPSA1
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DD104N14KKHPSA1
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EP2C5T144I8
Intel
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C3N
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5SGXEA7K2F40I2N
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XC4028EX-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP20C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN256C
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10AX066K1F35E1SG
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EP3SE80F780C4N
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