casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / BAP64-06,215
Número da peça de fabricante | BAP64-06,215 |
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Número da peça futura | FT-BAP64-06,215 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAP64-06,215 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | PIN - 1 Pair Common Anode |
Tensão - pico reverso (máximo) | 175V |
Corrente - Max | 100mA |
Capacitância @ Vr, F | 0.35pF @ 20V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz |
Dissipação de energia (máx.) | 250mW |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-236AB (SOT23) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAP64-06,215 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAP64-06,215-FT |
MA2SP060GL
Panasonic Electronic Components
CPH5512-TL-E
ON Semiconductor
MMBD301M3T5G
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MMBD101LT1G
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MMBD301LT3G
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MMBD355LT1G
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MMBD452LT1G
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MMBD353LT1G
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SMMBD701LT1G
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MPF300T-FCVG484E
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7
Intel
5SGXEA5K2F40C2L
Intel
10M04SAU169C8G
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XCKU5P-1FFVD900E
Xilinx Inc.
LFXP6C-5Q208C
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LFE2-12E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E2LG
Intel
10AX115U3F45I2LG
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