casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / BAR6502VH6327XTSA1
Número da peça de fabricante | BAR6502VH6327XTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BAR6502VH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAR6502VH6327XTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | PIN - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 30V |
Corrente - Max | 100mA |
Capacitância @ Vr, F | 0.8pF @ 3V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 900 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Dissipação de energia (máx.) | 250mW |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SC79-2 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR6502VH6327XTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAR6502VH6327XTSA1-FT |
BAP1321-04,215
NXP USA Inc.
BAP50LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX,315
NXP USA Inc.
BAP51LX,315
NXP USA Inc.
BAP142LX,315
NXP USA Inc.
BAP65LX,315
NXP USA Inc.
BAP63LX,315
NXP USA Inc.
BAP64LX/Z,315
NXP USA Inc.
BAP51-02-TP
Micro Commercial Co
BAP50-03-TP
Micro Commercial Co
EP20K30ETC144-2N
Intel
XC6SLX75T-2FG484C
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C8N
Intel
EP4SE360H29I4N
Intel
5SGXEA7H3F35C4N
Intel
LFXP2-8E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation