casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / BAP51-02-TP
Número da peça de fabricante | BAP51-02-TP |
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Número da peça futura | FT-BAP51-02-TP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAP51-02-TP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | PIN - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 60V |
Corrente - Max | 50mA |
Capacitância @ Vr, F | 0.35pF @ 5V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 2.5 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Dissipação de energia (máx.) | 715mW |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Pacote / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-523 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAP51-02-TP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAP51-02-TP-FT |
1SV267-TB-E
ON Semiconductor
1SV251-TB-E
ON Semiconductor
1SV233-TB-E
ON Semiconductor
1SV234-TB-E
ON Semiconductor
MMBD301LT3
ON Semiconductor
MMBD353LT1
ON Semiconductor
MMBD355LT1
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MMBD701LT3G
ON Semiconductor
MMBV3401LT1
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MMBV3401LT1G
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LFXP3E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FTG256I
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M2GL010T-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40I4N
Intel
5SGXMA7K3F35C2LN
Intel
XC4020XL-2BG256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FB900I
Xilinx Inc.
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
EP2AGX125EF29C6N
Intel