
| Número da peça de fabricante | B6S-G |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-B6S-G |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| B6S-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de Diodo | Single Phase |
| Tecnologia | Standard |
| Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
| Atual - Média Retificada (Io) | 800mA |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 800mA |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 600V |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | TO-269AA, 4-BESOP |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MBS |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| B6S-G Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | B6S-G-FT |

GBJ802
Diodes Incorporated

GBJ804
Diodes Incorporated

GBJ806
Diodes Incorporated

GBJ810
Diodes Incorporated

DF1502S-T
Diodes Incorporated

DF1501S-T
Diodes Incorporated

DF1508S-T
Diodes Incorporated

DF10S-T
Diodes Incorporated

DF06S-T
Diodes Incorporated

DF1510S-T
Diodes Incorporated

LCMXO2280C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation

XC7A75T-2FGG676C
Xilinx Inc.

XC4005E-1PQ208C
Xilinx Inc.

A42MX16-3PQ208I
Microsemi Corporation

A54SX72A-PQ208
Microsemi Corporation

A3P030-VQ100
Microsemi Corporation

10CL016ZU484I8G
Intel

10AX027H4F34I3SG
Intel

5SGXEABK1H40I2N
Intel

LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation