casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / B1100AE-13
Número da peça de fabricante | B1100AE-13 |
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Número da peça futura | FT-B1100AE-13 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
B1100AE-13 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 790mV @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | 27pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMA |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B1100AE-13 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | B1100AE-13-FT |
JAN1N5554
Microsemi Corporation
JAN1N5615
Microsemi Corporation
JAN1N5616US
Microsemi Corporation
JAN1N5617US
Microsemi Corporation
JAN1N5618
Microsemi Corporation
JAN1N5619US
Microsemi Corporation
JAN1N5620US
Microsemi Corporation
JAN1N5621
Microsemi Corporation
JAN1N5622US
Microsemi Corporation
JAN1N5623
Microsemi Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
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EP20K30EFC144-3
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5CGXFC4F6M11C6N
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XC4010XL-3BG256I
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XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel