casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / B1100AE-13
Número da peça de fabricante | B1100AE-13 |
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Número da peça futura | FT-B1100AE-13 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
B1100AE-13 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 790mV @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | 27pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SMA |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B1100AE-13 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | B1100AE-13-FT |
JAN1N5554
Microsemi Corporation
JAN1N5615
Microsemi Corporation
JAN1N5616US
Microsemi Corporation
JAN1N5617US
Microsemi Corporation
JAN1N5618
Microsemi Corporation
JAN1N5619US
Microsemi Corporation
JAN1N5620US
Microsemi Corporation
JAN1N5621
Microsemi Corporation
JAN1N5622US
Microsemi Corporation
JAN1N5623
Microsemi Corporation
XCS40XL-5PQG208C
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XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
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LCMXO1200E-3FTN256I
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A42MX16-1VQ100M
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5SGSMD4K3F40I3N
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5SGSED6N2F45C2N
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EP2SGX90EF1152C3ES
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LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel