casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / JAN1N5620US
Número da peça de fabricante | JAN1N5620US |
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Número da peça futura | FT-JAN1N5620US |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/427 |
JAN1N5620US Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 3A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 2µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500nA @ 800V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SQ-MELF, A |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D-5A |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 200°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5620US Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN1N5620US-FT |
RURP1560-F085P
ON Semiconductor
SK15H45 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
STPS1045RL
STMicroelectronics
STPS2L40AF
STMicroelectronics
2941497
Phoenix Contact
B120AE-13
Diodes Incorporated
B130AE-13
Diodes Incorporated
B140AE-13
Diodes Incorporated
B150AE-13
Diodes Incorporated
B160AE-13
Diodes Incorporated
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel