Número da peça de fabricante | B05S-G |
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Número da peça futura | FT-B05S-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
B05S-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 50V |
Atual - Média Retificada (Io) | 800mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 800mA |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 50V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-269AA, 4-BESOP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | MBS |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B05S-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | B05S-G-FT |
GBJ610
Diodes Incorporated
GBJ802
Diodes Incorporated
GBJ804
Diodes Incorporated
GBJ806
Diodes Incorporated
GBJ810
Diodes Incorporated
DF1502S-T
Diodes Incorporated
DF1501S-T
Diodes Incorporated
DF1508S-T
Diodes Incorporated
DF10S-T
Diodes Incorporated
DF06S-T
Diodes Incorporated
A40MX02-VQ80I
Microsemi Corporation
XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1FG484I
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGTMC5K2F40C2N
Intel
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EBC356-2
Intel