casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23C6V2-HE3-08
Número da peça de fabricante | AZ23C6V2-HE3-08 |
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Número da peça futura | FT-AZ23C6V2-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23C6V2-HE3-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração | 1 Pair Common Anode |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 300mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 10 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 2V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C6V2-HE3-08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AZ23C6V2-HE3-08-FT |
AZ23C27-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C27-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C27-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C27-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C2V7-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C2V7-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C2V7-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C2V7-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C2V7-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C2V7-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC3E-5TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-2FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16P-1VQG100M
Microsemi Corporation
EP1C3T100A8N
Intel
10M40SCE144A7G
Intel
EP4SGX290KF43I4
Intel
XCKU3P-2SFVB784E
Xilinx Inc.
EPF8636ALC84-3
Intel
EP1K50QC208-1N
Intel