casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23C27-HE3-08
Número da peça de fabricante | AZ23C27-HE3-08 |
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Número da peça futura | FT-AZ23C27-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23C27-HE3-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração | 1 Pair Common Anode |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 27V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 300mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 20V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C27-HE3-08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AZ23C27-HE3-08-FT |
AZ23B5V1-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B5V1-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B5V1-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B5V1-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B5V6-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B5V6-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B5V6-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B5V6-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B5V6-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B5V6-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32-TQG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-3FT256I
Xilinx Inc.
XC2S600E-6FG456Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG484M
Microsemi Corporation
A3PN060-ZVQG100I
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC484-1X
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
LCMXO2-4000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation