casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23C39-HE3-18
Número da peça de fabricante | AZ23C39-HE3-18 |
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Número da peça futura | FT-AZ23C39-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23C39-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração | 1 Pair Common Anode |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 39V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 300mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 90 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 29V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23C39-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AZ23C39-HE3-18-FT |
AZ23B8V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B8V2-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B8V2-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B8V2-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B9V1-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B9V1-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B9V1-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B9V1-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B9V1-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B9V1-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN020V2-QNG68I
Microsemi Corporation
XC3130A-3PQ100C
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG320C
Xilinx Inc.
XC4003E-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C3N
Intel
XCS30XL-4BG256C
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196C
Xilinx Inc.
LFXP15E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K60EQC208-2
Intel