casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23B8V2-G3-18
Número da peça de fabricante | AZ23B8V2-G3-18 |
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Número da peça futura | FT-AZ23B8V2-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AZ23B8V2-G3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração | 1 Pair Common Anode |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolerância | ±2% |
Potência - Max | 300mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 6V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23B8V2-G3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AZ23B8V2-G3-18-FT |
AZ23B36-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B36-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B36-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B36-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B36-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B36-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B39-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B39-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B39-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B39-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1400A-5FG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-N3FGG484I
Xilinx Inc.
EP4CE30F23I7N
Intel
10M50DAF484C7G
Intel
10AX027E2F29E2LG
Intel
EP1AGX90EF1152I6
Intel
XC7K160T-1FB676C
Xilinx Inc.
A42MX09-3PLG84I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
10M02DCU324C8G
Intel