casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23B6V8-HE3-18
Número da peça de fabricante | AZ23B6V8-HE3-18 |
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Número da peça futura | FT-AZ23B6V8-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23B6V8-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração | 1 Pair Common Anode |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolerância | ±2% |
Potência - Max | 300mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 8 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 3V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23B6V8-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AZ23B6V8-HE3-18-FT |
AZ23B30-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B30-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B30-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B30-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B33-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B33-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B33-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B33-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B33-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23B33-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA2S200E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P1000-FG484M
Microsemi Corporation
A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQ208M
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2X
Intel
EP2C20F256I8
Intel
5SGSMD3E3H29I3LN
Intel
LCMXO3L-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation