casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23B6V8-HE3-18

| Número da peça de fabricante | AZ23B6V8-HE3-18 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-AZ23B6V8-HE3-18 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| AZ23B6V8-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Configuração | 1 Pair Common Anode |
| Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
| Tolerância | ±2% |
| Potência - Max | 300mW |
| Impedância (Max) (Zzt) | 8 Ohms |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 3V |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| AZ23B6V8-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | AZ23B6V8-HE3-18-FT |

AZ23B30-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B30-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B30-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B30-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B33-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B33-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B33-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B33-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B33-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

AZ23B33-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

XC2V250-5FGG256I
Xilinx Inc.

XCV150-4FG456C
Xilinx Inc.

5SGXEA4H2F35I3LN
Intel

XC5VLX110T-3FF1136C
Xilinx Inc.

XC7VX485T-3FF1927E
Xilinx Inc.

LCMXO640E-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO640E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation

10AX090H2F34E1SG
Intel

EPF10K30RI240-4N
Intel

EP4SGX180HF35I3N
Intel