casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Matrizes / AZ23B33-HE3-18
Número da peça de fabricante | AZ23B33-HE3-18 |
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Número da peça futura | FT-AZ23B33-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
AZ23B33-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração | 1 Pair Common Anode |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 33V |
Tolerância | ±2% |
Potência - Max | 300mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 25V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AZ23B33-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AZ23B33-HE3-18-FT |
MMBZ27VDA-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C18-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C3V6-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C12-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C12-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C22-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C36-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C3V9-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C6V2-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AZ23C6V8-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-1VQ100
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6N
Intel
10M25DCF256A7G
Intel
10M04SFE144C7G
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
LCMXO2-2000HC-5FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation