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Infineon Technologies AUIRL7766M2TR

Name: AUIRL7766M2TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: AUIRL7766M2TR
Price: 1.007752 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (498 reviews)

Número da peça MFG: AUIRL7766M2TR

Quantidade disponível: 84740 Peças

Preço de referência: USD 1.007752

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: AUIRL7766M2TR.pdf

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AUIRL7766M2TR Especificações

Número da peça de fabricante	AUIRL7766M2TR
Número da peça futura	FT-AUIRL7766M2TR
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	HEXFET®
AUIRL7766M2TR Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	66nC @ 4.5V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5305pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	DIRECTFET™ M4
Pacote / caso	DirectFET™ Isometric M4
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRL7766M2TR Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	AUIRL7766M2TR-FT

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