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APT1001RBN Image

Microsemi Corporation APT1001RBN

Número da peça MFG
APT1001RBN
Quantidade disponível
36270 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Microsemi Corporation
Descrição breve
POWER MOS IV® MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
APT1001RBN.pdf
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APT1001RBN Especificações

Número da peça de fabricante APT1001RBN
Número da peça futura FT-APT1001RBN
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series POWER MOS IV®
APT1001RBN Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2950pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 310W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-247AD
Pacote / caso TO-247-3
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT1001RBN Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição APT1001RBN-FT

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