casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS4C16M32MSA-6BIN
Número da peça de fabricante | AS4C16M32MSA-6BIN |
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Número da peça futura | FT-AS4C16M32MSA-6BIN |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS4C16M32MSA-6BIN Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile SDRAM |
Tamanho da memória | 512Mb (16M x 32) |
Freqüência do relógio | 166MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | 5.4ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 90-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 90-FBGA (8x13) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M32MSA-6BIN Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS4C16M32MSA-6BIN-FT |
AS4C128M16D2-25BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D2-25BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D2-25BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C1G8MD3L-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C1G8MD3L-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
MT41K1G8SN-107 IT:A
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-107:A
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125 IT:A
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125 IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125:A
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel