casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / AS4C128M16D2-25BINTR
Número da peça de fabricante | AS4C128M16D2-25BINTR |
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Número da peça futura | FT-AS4C128M16D2-25BINTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AS4C128M16D2-25BINTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Volatile |
Formato de memória | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Tamanho da memória | 2Gb (128M x 16) |
Freqüência do relógio | 400MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 15ns |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 84-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 84-FBGA (10.5x13.5) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M16D2-25BINTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AS4C128M16D2-25BINTR-FT |
MT41K256M8DA-125 AIT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 IT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125:M
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-15E:M
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-093 IT:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-093 IT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-093:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 IT:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107:P
Micron Technology Inc.
A1020B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG256I
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F1020I4
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