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Microsemi Corporation APTM100H45FT3G
- Número da peça MFG
- APTM100H45FT3G
- Quantidade disponível
- 86590 Peças
- Preço de referência
- USD 71.4828
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Microsemi Corporation
- Descrição breve
- - MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- APTM100H45FT3G.pdf
APTM100H45FT3G Especificações
| Número da peça de fabricante | APTM100H45FT3G |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-APTM100H45FT3G |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| APTM100H45FT3G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Recurso FET | Standard |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 18A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 154nC @ 10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4350pF @ 25V |
| Potência - Max | 357W |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote / caso | SP3 |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SP3 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| APTM100H45FT3G Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | APTM100H45FT3G-FT |
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