casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays / APTM100H35FTG
Número da peça de fabricante | APTM100H35FTG |
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Número da peça futura | FT-APTM100H35FTG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
APTM100H35FTG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
Recurso FET | Standard |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1000V (1kV) |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 22A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 10V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5200pF @ 25V |
Potência - Max | 390W |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | SP4 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SP4 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM100H35FTG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APTM100H35FTG-FT |
DMTH6010LPDQ-13
Diodes Incorporated
DMNH6021SPDQ-13
Diodes Incorporated
DMC1017UPD-13
Diodes Incorporated
DMN2022UNS-7
Diodes Incorporated
DMC2038LVT-7
Diodes Incorporated
DMG6602SVTQ-7
Diodes Incorporated
DMN61D8LVTQ-7
Diodes Incorporated
DMN61D8LVT-13
Diodes Incorporated
DMN61D8LVTQ-13
Diodes Incorporated
DMG6601LVT-7
Diodes Incorporated
EP1C6T144C6
Intel
M2GL025T-1VFG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10CX220YU484E6G
Intel
EP4CE22E22C7
Intel
5SGSMD8N3F45I4N
Intel
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-1N
Intel