casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / APT64GA90B2D30
Número da peça de fabricante | APT64GA90B2D30 |
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Número da peça futura | FT-APT64GA90B2D30 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | POWER MOS 8™ |
APT64GA90B2D30 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | PT |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 900V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 117A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 193A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 38A |
Potência - Max | 500W |
Energia de comutação | 1192µJ (on), 1088µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 162nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 18ns/131ns |
Condição de teste | 600V, 38A, 4.7 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 Variant |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT64GA90B2D30 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APT64GA90B2D30-FT |
APT65GP60L2DQ2G
Microsemi Corporation
APT75GN60B2DQ3G
Microsemi Corporation
APT50GS60BRDQ2G
Microsemi Corporation
APT60GT60BRG
Microsemi Corporation
APT40GT60BRG
Microsemi Corporation
APT30GT60BRDQ2G
Microsemi Corporation
APT25GR120B
Microsemi Corporation
APT50GT120B2RG
Microsemi Corporation
APT25GT120BRG
Microsemi Corporation
APT25GT120BRDQ2G
Microsemi Corporation