casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / APT65GP60L2DQ2G
Número da peça de fabricante | APT65GP60L2DQ2G |
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Número da peça futura | FT-APT65GP60L2DQ2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | POWER MOS 7® |
APT65GP60L2DQ2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | PT |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 198A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 250A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 65A |
Potência - Max | 833W |
Energia de comutação | 605µJ (on), 895µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 210nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 30ns/90ns |
Condição de teste | 400V, 65A, 5 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-264-3, TO-264AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT65GP60L2DQ2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | APT65GP60L2DQ2G-FT |
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