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APT65GP60L2DQ2G Image

Microsemi Corporation APT65GP60L2DQ2G

Número da peça MFG
APT65GP60L2DQ2G
Quantidade disponível
20940 Peças
Preço de referência
USD 15.11904
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
Microsemi Corporation
Descrição breve
POWER MOS 7® IGBT 600V 198A 833W TO264
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - IGBTs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
APT65GP60L2DQ2G.pdf
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APT65GP60L2DQ2G Especificações

Número da peça de fabricante APT65GP60L2DQ2G
Número da peça futura FT-APT65GP60L2DQ2G
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series POWER MOS 7®
APT65GP60L2DQ2G Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Not For New Designs
Tipo IGBT PT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) 600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) 198A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) 250A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 65A
Potência - Max 833W
Energia de comutação 605µJ (on), 895µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Carga do Portão 210nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C 30ns/90ns
Condição de teste 400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) -
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / caso TO-264-3, TO-264AA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor -
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT65GP60L2DQ2G Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição APT65GP60L2DQ2G-FT

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