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Microsemi Corporation APT35GP120B2DQ2G

Número da peça MFG
APT35GP120B2DQ2G
Quantidade disponível
58900 Peças
Preço de referência
USD 17.36
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Data de envio
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fabricante
Microsemi Corporation
Descrição breve
POWER MOS 7® IGBT 1200V 96A 543W TMAX
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - IGBTs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
APT35GP120B2DQ2G.pdf
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APT35GP120B2DQ2G Especificações

Número da peça de fabricante APT35GP120B2DQ2G
Número da peça futura FT-APT35GP120B2DQ2G
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series POWER MOS 7®
APT35GP120B2DQ2G Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo IGBT PT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) 96A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) 140A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 35A
Potência - Max 543W
Energia de comutação 750µJ (on), 680µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Carga do Portão 150nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C 16ns/95ns
Condição de teste 600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) -
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote / caso TO-247-3 Variant
Pacote de Dispositivo do Fornecedor -
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT35GP120B2DQ2G Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição APT35GP120B2DQ2G-FT

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