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Microsemi Corporation APT29F100B2

Número da peça MFG
APT29F100B2
Quantidade disponível
49060 Peças
Preço de referência
USD 16.12
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Data de envio
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fabricante
Microsemi Corporation
Descrição breve
POWER MOS 8™ MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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APT29F100B2 Especificações

Número da peça de fabricante APT29F100B2
Número da peça futura FT-APT29F100B2
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series POWER MOS 8™
APT29F100B2 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8500pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 1040W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor T-MAX™ [B2]
Pacote / caso TO-247-3 Variant
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APT29F100B2 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição APT29F100B2-FT

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