casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AO3406L_107
Número da peça de fabricante | AO3406L_107 |
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Número da peça futura | FT-AO3406L_107 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
AO3406L_107 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 375pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.4W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-23-3 |
Pacote / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO3406L_107 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AO3406L_107-FT |
2SJ599(0)-ZK-E1-AY
Renesas Electronics America
2SJ600-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SJ601(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SJ648-T1-A
Renesas Electronics America
2SJ652-1EX
ON Semiconductor
2SJ661-1EX
ON Semiconductor
2SJ661-DL-1EX
ON Semiconductor
2SJ668(TE16L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ673-AZ
Renesas Electronics America
2SJ690-T1B-AT
Renesas Electronics America
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel