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Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ668(TE16L1,NQ)

Name: 2SJ668(TE16L1,NQ)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SJ668(TE16L1,NQ)
Availability: InStock
Rating: 4.7 (686 reviews)

Número da peça MFG: 2SJ668(TE16L1,NQ)

Quantidade disponível: 89330 Peças

Preço de referência: USD 0

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fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: U-MOSIII MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: 2SJ668(TE16L1,NQ).pdf

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2SJ668(TE16L1,NQ) Especificações

Número da peça de fabricante	2SJ668(TE16L1,NQ)
Número da peça futura	FT-2SJ668(TE16L1,NQ)
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	U-MOSIII
2SJ668(TE16L1,NQ) Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 10V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	20W (Tc)
Temperatura de operação	150°C
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PW-MOLD
Pacote / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SJ668(TE16L1,NQ) Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	2SJ668(TE16L1,NQ)-FT

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