Número da peça de fabricante | 2W06M |
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Número da peça futura | FT-2W06M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2W06M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de operação | -65°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-Circular, WOM |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | WOM |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2W06M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2W06M-FT |
GBU10B
GeneSiC Semiconductor
GBU10G
GeneSiC Semiconductor
GBU10J
GeneSiC Semiconductor
GBU10K
GeneSiC Semiconductor
GBU10M
GeneSiC Semiconductor
GBU15A
GeneSiC Semiconductor
GBU15B
GeneSiC Semiconductor
GBU15D
GeneSiC Semiconductor
GBU15G
GeneSiC Semiconductor
GBU15J
GeneSiC Semiconductor
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel