Número da peça de fabricante | GBU10J |
---|---|
Número da peça futura | FT-GBU10J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GBU10J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-SIP, GBU |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GBU |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU10J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GBU10J-FT |
GBPC3508TA
SMC Diode Solutions
GBPC3508WTA
SMC Diode Solutions
MB05FTR
SMC Diode Solutions
MB05STR
SMC Diode Solutions
MB1FTR
SMC Diode Solutions
MB1STR
SMC Diode Solutions
MB2FTR
SMC Diode Solutions
MB2STR
SMC Diode Solutions
MB4FTR
SMC Diode Solutions
MB4STR
SMC Diode Solutions
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC6SLX75-L1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-1PLG68
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA3K2F40I3N
Intel
XC6VLX75T-1FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ350FF35I3N
Intel