Número da peça de fabricante | 2W06G |
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Número da peça futura | FT-2W06G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2W06G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 2A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 2A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-Circular, WOB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | WOB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2W06G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2W06G-FT |
GBU10A
GeneSiC Semiconductor
GBU10B
GeneSiC Semiconductor
GBU10G
GeneSiC Semiconductor
GBU10J
GeneSiC Semiconductor
GBU10K
GeneSiC Semiconductor
GBU10M
GeneSiC Semiconductor
GBU15A
GeneSiC Semiconductor
GBU15B
GeneSiC Semiconductor
GBU15D
GeneSiC Semiconductor
GBU15G
GeneSiC Semiconductor
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel