casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 2SJ652
Número da peça de fabricante | 2SJ652 |
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Número da peça futura | FT-2SJ652 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
2SJ652 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4360pF @ 20V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta), 30W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220ML |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SJ652 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 2SJ652-FT |
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