casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / RCX511N25
Número da peça de fabricante | RCX511N25 |
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Número da peça futura | FT-RCX511N25 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
RCX511N25 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 250V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 51A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 25.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7000pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 2.23W (Ta), 40W (Tc) |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220FM |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RCX511N25 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | RCX511N25-FT |
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Vishay Siliconix
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5SGXEA5K2F40I3L
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5SGXMA9N2F45C2LN
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XC4VLX160-10FF1148C
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XC2V8000-4FFG1152I
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XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.