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Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-O(TE6,F,M)

Name: 2SA965-O(TE6,F,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SA965-O(TE6,F,M)
Availability: InStock
Rating: 4.6 (102 reviews)

Número da peça MFG: 2SA965-O(TE6,F,M)

Quantidade disponível: 99630 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Descrição breve: - TRANS PNP 800MA 120V TO226-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: 2SA965-O(TE6,F,M).pdf

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2SA965-O(TE6,F,M) Especificações

Número da peça de fabricante	2SA965-O(TE6,F,M)
Número da peça futura	FT-2SA965-O(TE6,F,M)
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	-
2SA965-O(TE6,F,M) Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo de transistor	PNP
Corrente - Coletor (Ic) (Max)	800mA
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max)	120V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic	1V @ 50mA, 500mA
Corrente - corte de coletor (máx.)	100nA (ICBO)
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 100mA, 5V
Potência - Max	900mW
Freqüência - Transição	120MHz
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote / caso	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	LSTM
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SA965-O(TE6,F,M) Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	2SA965-O(TE6,F,M)-FT

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