casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / BC857BWE6327BTSA1
Número da peça de fabricante | BC857BWE6327BTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BC857BWE6327BTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BC857BWE6327BTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 100mA |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 45V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 15nA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Potência - Max | 250mW |
Freqüência - Transição | 250MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SOT323-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC857BWE6327BTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BC857BWE6327BTSA1-FT |
PVR100AD-B5V0,115
NXP USA Inc.
2SA2162G0L
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2SC5946G0L
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AGL030V2-QNG68
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M2GL050T-FGG484I
Microsemi Corporation
XC3090L-8PC84C
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XC4010E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC6VHX255T-1FFG1155C
Xilinx Inc.
XC4VSX55-11FFG1148C
Xilinx Inc.
5AGXFB7H6F35C6N
Intel
EP2AGX95EF35I3N
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EP20K200EQC240-3N
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